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SGT N80-85V Power MOSFET
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 新产品宣告

产品先容 bwin必赢国际科技最新推出的N80-85V SGT系列MOSFET，接纳SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET结构及工艺制造要领，具有古板Trench MOSFET低导通消耗的优点，同时具有更低的开关消耗。 SGT MOSFET作为开关器件，普遍应用于新能源电动车BMS、逆变电源系统、电机驱动系统及其他电源管理系统，是其焦点的功率控制部件。 除古板TO系列封装外，接纳Copper Clip封装工艺的DFN5060产品也即将推出。 bwin必赢国际科技现在已推出N40V,N60V,N80-85V,N85V,N100V,N120V多个电压平台的系列化解决计划,供客户凭证现实需求无邪选择。
产品特点 1、接纳SGT工艺，极低的Rdson和优异的开关特征，带来更低的FOM，减小系统消耗。
2、和古板Trench工艺比Ciss/Qg参数都有大幅优化，设计MOSFET驱动时有更多选择。
3、针对系统应用中的种种异常事情状态，优化MOS产品EAS特征，提高系统可靠性。
规格书

YJP120G08A YJP118G08H YJG100G08E YJG100G08A YJD110G08A YJB120G08A YJB118G08H

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